Moduły MOSFET – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET Modules is equipped with an 11mΩ/1200V SiC M3S MOSFET full-bridge configuration. The modules integrate a thermistor and an HPS DBC in an F2 package, enabling compact, high-efficiency power-conversion designs. The onsemi NXH011F120M3F2 offers two types of pre-applied thermal interface material and one without pre-applied TIM. The modules also feature press-fit pins and Pb-free, halide-free, and RoHS-compliant construction for power module integration.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 6

Zastosowane filtry:

Liczba kanałów

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Technologia	Styl mocowania	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Opakowanie
	MOSFET Modules 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package NXH015F120M3F1P1TG onsemi 1: 290,40 zł 28Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części NXH015F120M3F1P1TG Nr części Mouser 863-H015F120M3F1P1TG Nowe produkty	onsemi	MOSFET Modules 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package Dowiedz się więcej o onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Karta charakterystyki	28Na stanie magazynowym	290,40 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	77 A	19 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	198 W	Tray
	MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package NXH011F120M3F2P1THG onsemi 1: 574,51 zł 20Oczekiwane: 24.11.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części NXH011F120M3F2P1THG Nr części Mouser 863-011F120M3F2P1THG Nowe produkty	onsemi	MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package Dowiedz się więcej o onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Karta charakterystyki	20Oczekiwane: 24.11.2026	574,51 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	105 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	244 W	Tray
	MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package NXH011T120M3F2P1THG onsemi 1: 502,88 zł 20Oczekiwane: 24.11.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części NXH011T120M3F2P1THG Nr części Mouser 863-011T120M3F2P1THG Nowe produkty	onsemi	MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package Dowiedz się więcej o onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Karta charakterystyki	20Oczekiwane: 24.11.2026	502,88 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	91 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	272 W	Tray
	MOSFET Modules EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PG onsemi 1: 275,09 zł 28Oczekiwane: 16.02.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części NXH006P120M3F1PG Nr części Mouser 863-NXH006P120M3F1PG Nowe produkty	onsemi	MOSFET Modules EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Dowiedz się więcej o onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Karta charakterystyki	28Oczekiwane: 16.02.2027	275,09 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	200 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	333 W	Tray
	MOSFET Modules EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PNG onsemi 1: 313,72 zł 28Oczekiwane: 16.02.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części NXH006P120M3F1PNG Nr części Mouser 863-XH006P120M3F1PNG Nowe produkty	onsemi	MOSFET Modules EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Dowiedz się więcej o onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Karta charakterystyki	28Oczekiwane: 16.02.2027	313,72 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	240 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	500 W	Tray
	MOSFET Modules EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH008P120M3F1PNG onsemi 1: 303,73 zł 28Oczekiwane: 16.02.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części NXH008P120M3F1PNG Nr części Mouser 863-XH008P120M3F1PNG Nowe produkty	onsemi	MOSFET Modules EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Dowiedz się więcej o onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Karta charakterystyki	28Oczekiwane: 16.02.2027	303,73 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W	Tray