IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Technologia Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module 17Na stanie magazynowym
531,61 zł
512,73 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module 6Na stanie magazynowym
1 041,52 zł
833,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module 43Na stanie magazynowym
824,60 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module 61Na stanie magazynowym
967,96 zł
781,88 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Nie
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 300 A dual IGBT module 3Na stanie magazynowym
20Dostępna ilość z otwartych zamówień
474,98 zł
448,62 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
23Oczekiwane: 13.04.2027
660,75 zł
652,87 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
4 904,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules PP IHM I
Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
5 044,82 zł
Min.: 3
Wielokr.: 3
Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
705,01 zł
Min.: 10
Wielokr.: 10
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
891,09 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray