PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs utilize Trench technology to improve the product characteristics. These MOSFETs feature low drain-source on resistance and 80V drain-source voltage. The PSMxN08NS1 MOSFETs are 100% avalanche-tested, 100% Rg-tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are ideal for use in Battery Management Systems (BMSs), Brushless Direct Current (BLDC) motors, SMPS, and telecommunications power systems.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Panjit MOSFETs 80V 5.5mohm MV MOSFET
Karta charakterystyki
1 039Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
8,23 zł
6,12 zł
4,20 zł
3,54 zł
Opakowanie zbiorcze
2,85 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 108 A 5.5 mOhms 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 150 C 113.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 80V 5.5mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Karta charakterystyki
1 391Na stanie magazynowym
7,48 zł
3,59 zł
3,20 zł
2,92 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 111 A 5.5 mOhms 20 V 3.75 V 65.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 80V 3.4mohm MV MOSFET
Karta charakterystyki
Czas realizacji 20 tygodni
Odcinek taśmy
10,43 zł
5,24 zł
4,44 zł
4,09 zł
Opakowanie zbiorcze
3,53 zł
Przeglądaj
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 161 A 3.4 mOhms 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
3,63 zł
3,34 zł
Min.: 2 000
Wielokr.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 3.4 mOhms 20 V 3.75 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement Tube