UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło Prąd dren–źródło przy Vgs=0 Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Kwalifikacje Opakowanie
onsemi JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO247-3 123Na stanie magazynowym
101,24 zł
81,05 zł
70,09 zł
66,35 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO247-3 856Na stanie magazynowym
45,76 zł
25,17 zł
23,67 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3 378Na stanie magazynowym
143,35 zł
116,95 zł
103,36 zł
96,49 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3 350Na stanie magazynowym
85,45 zł
53,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3 393Na stanie magazynowym
84,48 zł
63,10 zł
54,56 zł
48,88 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube