EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors (BRTs) are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistors (BRTs) integrate a single transistor with a monolithic bias network comprising two resistors - a series base resistor and a base-emitter resistor. These BRTs eliminate these individual components by integrating them into a single device. The EMD4DXV6 transistors feature a 50VDC collector-base voltage, 50VDC collector-emitter voltage, and 100mADC collector current. These transistors support a -55°C to +150°C junction and storage temperature range.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Konfiguracja Polaryzacja tranzystora Typowy rezystor wejścia Typowy współczynnik oporności Styl mocowania Opakowanie/obudowa Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min. Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Ciągły prąd kolektora Maksymalny prąd kolektora Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
onsemi Digital Transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital 5 536Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
1,44 zł
0,893 zł
0,559 zł
0,418 zł
Opakowanie zbiorcze
0,251 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000
Dual NPN, PNP 47 kOhms 1, 0.21 SMD/SMT SOT-553-5 80 50 V 100 mA 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Digital Transistors Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
4 000Oczekiwane: 30.06.2027
Odcinek taśmy
2,12 zł
1,47 zł
0,933 zł
Opakowanie zbiorcze
0,933 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 400
: 4 000
Dual NPN, PNP 10 kOhms 0.21 SMD/SMT SOT-563-6 80 50 V 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape