Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 563Na stanie magazynowym
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
146,21 zł
119,33 zł
105,42 zł
104,81 zł
Opakowanie zbiorcze
98,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 975Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
105,12 zł
72,60 zł
72,42 zł
68,46 zł
Opakowanie zbiorcze
63,89 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 235Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
67,41 zł
51,35 zł
42,81 zł
38,15 zł
Opakowanie zbiorcze
35,60 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 593Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
51,22 zł
31,24 zł
30,67 zł
Opakowanie zbiorcze
29,17 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3 601Na stanie magazynowym
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
19,93 zł
10,38 zł
9,42 zł
8,32 zł
Opakowanie zbiorcze
8,27 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 17.12.2026
Odcinek taśmy
43,16 zł
30,54 zł
25,43 zł
22,66 zł
Opakowanie zbiorcze
21,21 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 258Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 19.11.2026
Odcinek taśmy
35,51 zł
24,24 zł
19,98 zł
17,82 zł
Opakowanie zbiorcze
16,68 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 227Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 03.12.2026
Odcinek taśmy
31,06 zł
21,87 zł
17,69 zł
15,75 zł
Opakowanie zbiorcze
13,90 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 582Na stanie magazynowym
4 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
24,46 zł
16,02 zł
11,79 zł
10,47 zł
Opakowanie zbiorcze
9,28 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1 999Oczekiwane: 19.11.2026
Odcinek taśmy
76,91 zł
57,42 zł
49,68 zł
47,04 zł
Opakowanie zbiorcze
43,91 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2 000Oczekiwane: 03.12.2026
Odcinek taśmy
27,02 zł
18,08 zł
14,52 zł
12,89 zł
Opakowanie zbiorcze
11,44 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement