Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 11

Zastosowane filtry:

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 140,91 zł
1 043Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 03.09.2026

Produc. Nr części
IMBG120R008M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 043Na stanie magazynowym

1 000Oczekiwane: 03.09.2026

Odcinek taśmy

140,91 zł

109,07 zł

Opakowanie zbiorcze

109,07 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 10

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 75,94 zł
3 135Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R017M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

3 135Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

75,94 zł

54,26 zł

44,73 zł

43,97 zł

Opakowanie zbiorcze

41,24 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 101,68 zł
558Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 03.09.2026

Produc. Nr części
IMBG120R012M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

558Na stanie magazynowym

1 000Oczekiwane: 03.09.2026

Odcinek taśmy

101,68 zł

78,50 zł

65,35 zł

64,30 zł

Opakowanie zbiorcze

53,89 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 58,42 zł
359Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R022M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

359Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

58,42 zł

41,20 zł

35,32 zł

Opakowanie zbiorcze

33,43 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 54,10 zł
1 673Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R026M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 673Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

54,10 zł

39,56 zł

31,00 zł

29,69 zł

Opakowanie zbiorcze

27,38 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 39,10 zł
316Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R040M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

316Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

39,10 zł

26,96 zł

20,96 zł

Opakowanie zbiorcze

19,82 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 26,12 zł
616Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R116M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

616Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

26,12 zł

16,72 zł

13,19 zł

11,68 zł

Opakowanie zbiorcze

10,63 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 20,87 zł
1 640Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R181M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 640Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

20,87 zł

13,94 zł

9,95 zł

9,11 zł

Opakowanie zbiorcze

8,61 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 18,86 zł
6 004Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R234M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

6 004Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

18,86 zł

12,52 zł

8,90 zł

7,94 zł

Opakowanie zbiorcze

7,90 zł

7,48 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 33,18 zł
41Na stanie magazynowym
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
IMBG120R078M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

41Na stanie magazynowym

2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

33,18 zł

22,51 zł

16,38 zł

13,82 zł

Opakowanie zbiorcze

13,02 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 35,24 zł
1 968Oczekiwane: 28.07.2026

Produc. Nr części
IMBG120R053M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 968Oczekiwane: 28.07.2026

Odcinek taśmy

35,24 zł

23,86 zł

19,11 zł

16,59 zł

Opakowanie zbiorcze

15,58 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie