Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
740Na stanie magazynowym
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
299Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
1 621Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
641Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
5 094Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
161Na stanie magazynowym
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
53Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 10.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
61Na stanie magazynowym
3 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 22.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement