Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET na bazie węglika krzemu

Motoryzacyjne tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu zostały opracowywane przy użyciu zaawansowanej i innowacyjnej technologii SiC MOSFET drugiej i trzeciej generacji firmy STMicroelectronics. Urządzenia te charakteryzują się niską rezystancją włączenia na jednostkę powierzchni i bardzo dobrą wydajnością przełączania. Tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo wysoką temperaturą roboczą (TJ = 200°C) oraz bardzo szybką i wytrzymałą diodą wewnętrzną.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 18

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 82,19 zł
58Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 19.02.2027
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT020HU120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

58Na stanie magazynowym

1 200Oczekiwane: 19.02.2027

Odcinek taśmy

82,19 zł

56,45 zł

51,87 zł

Opakowanie zbiorcze

46,96 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 80,18 zł
610Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT012W90G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

610Na stanie magazynowym

80,18 zł

49,56 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 93,07 zł
528Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT015W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

528Na stanie magazynowym

93,07 zł

59,93 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 73,08 zł
256Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 23.07.2027

Produc. Nr części
SCT020W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

256Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 23.07.2027

73,08 zł

43,97 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

Hip247-4

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 68,46 zł
120Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 12.03.2027

Produc. Nr części
SCT025W120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

120Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 12.03.2027

68,46 zł

42,59 zł

39,94 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 49,22 zł
990Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
SCT040H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

990Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

49,22 zł

28,01 zł

27,93 zł

Opakowanie zbiorcze

26,42 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 76,23 zł
13Na stanie magazynowym
1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
SCT025W120G3-4AG

Nr części Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

13Na stanie magazynowym

1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień

76,23 zł

52,58 zł

48,01 zł

44,14 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 50,19 zł
18Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 14.05.2027

Produc. Nr części
SCT040W120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

18Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 14.05.2027

50,19 zł

35,24 zł

26,92 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 72,87 zł
5Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 12.02.2027

Produc. Nr części
SCTW40N120G2VAG

Nr części Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

5Na stanie magazynowym

600Oczekiwane: 12.02.2027

72,87 zł

39,02 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP-247-3

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 99,20 zł
1 200Oczekiwane: 26.03.2027
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT011HU75G3AG

Nr części Mouser
511-SCT011HU75G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 200Oczekiwane: 26.03.2027

Odcinek taśmy

99,20 zł

76,23 zł

68,46 zł

Opakowanie zbiorcze

61,99 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 90,17 zł
1 985Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT016H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT016H120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 985Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

90,17 zł

60,77 zł

Opakowanie zbiorcze

57,58 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 66,32 zł
1 997Oczekiwane: 12.03.2027

Produc. Nr części
SCT025H120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT025H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 997Oczekiwane: 12.03.2027

Odcinek taśmy

66,32 zł

41,08 zł

40,66 zł

Opakowanie zbiorcze

38,85 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 84,25 zł
998Oczekiwane: 29.01.2027

Produc. Nr części
SCT012H90G3AG

Nr części Mouser
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

998Oczekiwane: 29.01.2027

Odcinek taśmy

84,25 zł

54,89 zł

54,68 zł

51,53 zł

Opakowanie zbiorcze

49,01 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 53,30 zł
1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty

Produc. Nr części
SCT040HU120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040HU120G3AG

Nowe produkty

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

53,30 zł

36,75 zł

32,97 zł

Opakowanie zbiorcze

28,52 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 49,35 zł
592Oczekiwane: 24.09.2027

Produc. Nr części
SCT040HU65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

592Oczekiwane: 24.09.2027

Odcinek taśmy

49,35 zł

37,59 zł

31,33 zł

Opakowanie zbiorcze

27,93 zł

26,42 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 48,89 zł
1 800Oczekiwane: 12.02.2027

Produc. Nr części
SCT055HU65G3AG

Nr części Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 800Oczekiwane: 12.02.2027

Odcinek taśmy

48,89 zł

37,25 zł

31,04 zł

Opakowanie zbiorcze

27,64 zł

26,17 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 52,92 zł
599Oczekiwane: 11.11.2026

Produc. Nr części
SCT070HU120G3AG

Nr części Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

599Oczekiwane: 11.11.2026

Odcinek taśmy

52,92 zł

36,37 zł

32,05 zł

Opakowanie zbiorcze

28,90 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 46,62 zł
100Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
SCT040W120G3-4

Nr części Mouser
511-SCT040W120G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

100Dostępna ilość z otwartych zamówień

46,62 zł

31,29 zł

27,47 zł

23,56 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

Motoryzacyjne tranzystory mocy MOSFET na bazie węglika krzemu

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie