STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STP65N150M9

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 10 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 5 ns
Seria: MDmesh M9
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 12 ns
Jednostka masy: 2 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Chiny
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

STP65N150M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9 Power MOSFET is based on super-junction MDmesh M9 technology. The device is suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon-based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process, allowing an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values among all silicon-based fast-switching super-junction Power MOSFETs. This makes it ideal for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1 000
Oczekiwane: 30.04.2027
Średni czas produkcji:
36
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
16,37 zł 16,37 zł
8,62 zł 86,20 zł
7,70 zł 770,00 zł
6,56 zł 3 280,00 zł
6,38 zł 6 380,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Masz pytanie? Odwiedź Centrum pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, zaloguj się na swoje konto.

W przypadku wystąpienia dalszych problemów skontaktuj się z nami pod numerem 800-346-6873 lub napisz na adres help@mouser.com.