Układy MOSFET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 10

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Opakowanie

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Opakowanie
MOSFETs HIGH POWER_NEW IPB95R130PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: 28,51 zł 1 244Na stanie magazynowym 2 000Oczekiwane: 22.10.2026	Produc. Nr części IPB95R130PFD7ATMA1 Nr części Mouser 726-IPB95R130PFD7ATM	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	1 244Na stanie magazynowym 2 000Oczekiwane: 22.10.2026	Odcinek taśmy 28,51 zł 15,31 zł 14,04 zł 13,42 zł Opakowanie zbiorcze 12,67 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	950 V	36.5 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs HIGH POWER_NEW IPW95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 26,84 zł 182Na stanie magazynowym 480Oczekiwane: 19.10.2026	Produc. Nr części IPW95R130PFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPW95R130PFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	182Na stanie magazynowym 480Oczekiwane: 19.10.2026	26,84 zł 15,18 zł 13,95 zł 12,89 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	36.5 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
MOSFETs HIGH POWER_NEW IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 57,02 zł 894Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPW95R060PFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPW95R060PFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	894Na stanie magazynowym	57,02 zł 32,08 zł 31,50 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	74.7 A	60 mOhms	30 V	3.5 V	315 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	Tube
MOSFETs LOW POWER_NEW IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: 15,66 zł 1 894Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPB95R310PFD7ATMA1 Nr części Mouser 726-IPB95R310PFD7ATM	Infineon Technologies	MOSFETs LOW POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	1 894Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 15,66 zł 7,96 zł 7,22 zł 6,03 zł Opakowanie zbiorcze 5,68 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	17.5 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFETs LOW POWER_NEW IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: 13,95 zł 1 654Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPB95R450PFD7ATMA1 Nr części Mouser 726-IPB95R450PFD7ATM	Infineon Technologies	MOSFETs LOW POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	1 654Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 13,95 zł 7,04 zł 6,34 zł 5,19 zł Opakowanie zbiorcze 4,84 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	13.3 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
MOSFETs LOW POWER_NEW IPW95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 15,80 zł 3 705Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPW95R310PFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPW95R310PFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs LOW POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	3 705Na stanie magazynowym	15,80 zł 7,83 zł 7,13 zł 5,90 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	17.5 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
MOSFETs HIGH POWER_NEW IPA95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 28,51 zł 329Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPA95R130PFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPA95R130PFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs HIGH POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	329Na stanie magazynowym	28,51 zł 15,27 zł 13,99 zł 12,67 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	13.9 A	130 mOhms	30 V	3.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	Tube
MOSFETs LOW POWER_NEW IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: 12,41 zł 679Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPD95R450PFD7ATMA1 Nr części Mouser 726-IPD95R450PFD7ATM	Infineon Technologies	MOSFETs LOW POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	679Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 12,41 zł 6,20 zł 5,59 zł 4,53 zł 4,44 zł Opakowanie zbiorcze 4,12 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	13.3 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
MOSFETs LOW POWER_NEW IPA95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 15,66 zł 393Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPA95R310PFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPA95R310PFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs LOW POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	393Na stanie magazynowym	15,66 zł 7,96 zł 7,22 zł 5,85 zł 5,81 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	8.7 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 155 C	31 W	Enhancement	Tube
MOSFETs LOW POWER_NEW IPA95R450PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 13,29 zł 712Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IPA95R450PFD7XKSA1 Nr części Mouser 726-IPA95R450PFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFETs LOW POWER_NEW Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Karta charakterystyki	712Na stanie magazynowym	13,29 zł 6,64 zł 6,03 zł 5,15 zł Przeglądaj 4,84 zł 4,80 zł 4,58 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	7.2 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	Tube

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie