950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 1 311Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 22.10.2026
Odcinek taśmy
27,22 zł
14,62 zł
13,40 zł
12,81 zł
Opakowanie zbiorcze
12,10 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 182Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 19.10.2026
25,62 zł
14,49 zł
13,31 zł
12,31 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 894Na stanie magazynowym
54,43 zł
30,62 zł
30,07 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 1 894Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
14,95 zł
7,60 zł
6,89 zł
5,75 zł
Opakowanie zbiorcze
5,42 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 1 654Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
13,31 zł
6,72 zł
6,05 zł
4,96 zł
Opakowanie zbiorcze
4,62 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 3 705Na stanie magazynowym
15,08 zł
7,48 zł
6,80 zł
5,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 329Na stanie magazynowym
27,22 zł
14,57 zł
13,36 zł
12,10 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 679Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
11,84 zł
5,92 zł
5,33 zł
4,33 zł
4,24 zł
Opakowanie zbiorcze
3,94 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 393Na stanie magazynowym
14,95 zł
7,60 zł
6,89 zł
5,59 zł
5,54 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 712Na stanie magazynowym
12,68 zł
6,34 zł
5,75 zł
4,91 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube