Wyniki: 13
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
4 549Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
5 864Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp 5 159Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp 207Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
896Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
4 964Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 400V 10A N-CH MOSFET 2 266Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 600
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET 1 689Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
7 652Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp 2 683Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
1 454Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp 1 051Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel