Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 959Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
24,24 zł
14,43 zł
9,77 zł
Opakowanie zbiorcze
9,77 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms 12 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 3 179Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
50,47 zł
31,20 zł
29,61 zł
28,73 zł
28,38 zł
Opakowanie zbiorcze
27,90 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 851Na stanie magazynowym
2 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
48,31 zł
27,28 zł
25,43 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 985Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
36,61 zł
20,15 zł
18,70 zł
17,69 zł
Opakowanie zbiorcze
17,69 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 40 mOhms 20 V 4.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel