OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Qrr), and low on‑resistance RDS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

Wyniki: 17
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
4 026Na stanie magazynowym
3 600Oczekiwane: 22.04.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
4 029Na stanie magazynowym
4 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
1 966Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
835Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
7 707Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
6 444Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
3 401Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 12.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
8 470Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
1 011Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
2 299Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
1 721Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
5 359Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 500
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
332Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
6 758Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
294Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 12.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Karta charakterystyki
9 880Oczekiwane: 15.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
4 489Oczekiwane: 09.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube