STP65N045M9

STMicroelectronics
511-STP65N045M9
STP65N045M9

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STP65N045M9

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
Marka: STMicroelectronics
Rodzaj produktu: MOSFETs
Seria: MDmesh M9
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Włochy
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The device implements innovative super-junction MDmesh M9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

Na stanie magazynowym: 922

Stany magazynowe:
922 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
31,84 zł 31,84 zł
17,35 zł 173,50 zł
15,96 zł 1 596,00 zł
14,87 zł 7 435,00 zł
14,70 zł 29 400,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.