Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6

Tranzystory mocy MOSFET OptiMOS™ 6 firmy Infineon Technologies oferują najnowocześniejsze innowacje nowej generacji oraz najlepszą w swojej klasie wydajność. Rodzina OptiMOS 6 wykorzystuje technologię produkcji z cienkich wafli, co zapewnia istotne korzyści w zakresie wydajności. W porównaniu do produktów alternatywnych tranzystory mocy MOSFET OptiMOS 6 oferują niższą o 30% rezystancję RDS(ON) i są zoptymalizowane pod kątem synchronicznej rektyfikacji.

Wyniki: 109
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Karta charakterystyki
14 433Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
Karta charakterystyki
5 083Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 610 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 129 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
8 822Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Karta charakterystyki
8 652Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Karta charakterystyki
1 432Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
8 532Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Karta charakterystyki
72Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 31.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Karta charakterystyki
1 582Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
Karta charakterystyki
898Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
Karta charakterystyki
900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
Karta charakterystyki
882Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
Karta charakterystyki
3 500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
Karta charakterystyki
4 193Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
Karta charakterystyki
4 148Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
Karta charakterystyki
2 223Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 30.07.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Karta charakterystyki
6 352Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
7 885Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 928Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
Karta charakterystyki
500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Karta charakterystyki
783Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Karta charakterystyki
216Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Karta charakterystyki
3 821Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Karta charakterystyki
5 935Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 31.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Karta charakterystyki
4 078Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Karta charakterystyki
5 736Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape