Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 5

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Liczba kanałów

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Kwalifikacje

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Kwalifikacje
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 75,77 zł 181Na stanie magazynowym 600Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SCT020W120G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Karta charakterystyki	181Na stanie magazynowym 600Dostępna ilość z otwartych zamówień	75,77 zł 44,88 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 52,23 zł 20Na stanie magazynowym 1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SCT070W120G3-4AG Nr części Mouser 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Karta charakterystyki	20Na stanie magazynowym 1 200Dostępna ilość z otwartych zamówień	52,23 zł 34,89 zł 32,82 zł 29,44 zł 27,68 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 55,53 zł 599Oczekiwane: 14.12.2026	Produc. Nr części SCT070HU120G3AG Nr części Mouser 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Karta charakterystyki	599Oczekiwane: 14.12.2026	Odcinek taśmy 55,53 zł 38,10 zł 33,57 zł Opakowanie zbiorcze 30,27 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: 48,93 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 25 tygodni	Produc. Nr części SCT070H120G3AG Nr części Mouser 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 25 tygodni	Odcinek taśmy 48,93 zł 36,48 zł 30,40 zł 27,10 zł Opakowanie zbiorcze 25,30 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: 47,74 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni	Produc. Nr części SCT070W120G3-4 Nr części Mouser 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni	47,74 zł 35,55 zł 29,61 zł 26,40 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement