SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
Karta charakterystyki
96Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Karta charakterystyki
88Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
Karta charakterystyki
95Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
Karta charakterystyki
94Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
Karta charakterystyki
95Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Karta charakterystyki
94Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Karta charakterystyki
57Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Karta charakterystyki
94Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Karta charakterystyki
94Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Karta charakterystyki
94Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
Karta charakterystyki
95Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
Karta charakterystyki
96Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray