600V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 600V CoolMOS™ P7 MOSFETs are 7th generation devices and utilize revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The transistors are designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS P7 combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease of use. The 600V P7 feature very low ringing tendency, outstanding robustness of body diode against hard commutation and excellent ESD capability. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact and cooler.

Wyniki: 59
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
3 510Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
643Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
253Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
778Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 340 mOhms 20 V 3.5 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
543Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
300Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 24.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
2 899Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
3 330Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 29.04.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
299Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 374 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
669Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 19.08.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
741Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 01.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
948Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
645Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
969Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 03.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
458Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 25.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
983Na stanie magazynowym
12 500Oczekiwane: 29.10.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
5 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
2 445Na stanie magazynowym
17 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
46Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 05.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 73 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 40 C + 150 C 154 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
200Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 26.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
358Na stanie magazynowym
25 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
66Na stanie magazynowym
3 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
449Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 19.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
622Na stanie magazynowym
2 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
262Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube