FGY40T120SMD

onsemi
512-FGY40T120SMD
FGY40T120SMD

Produc.:

Opis:
IGBTs FS2TIGBT TO247 40A 1200V

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi FGY40T120SMD

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.8 V
- 25 V, 25 V
80 A
882 W
- 55 C
+ 175 C
FGY40T120SMD
Tube
Marka: onsemi
Ciągły prąd kolektora – Ic max.: 40 A
Prąd upływowy bramka–emiter: 400 nA
Rodzaj produktu: IGBTs
Wielkość opakowania producenta: 30
Podkategoria: Transistors
Jednostka masy: 7,629 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Chiny
Kraj montażu:
Chiny
Kraj wytworzenia:
Czechia
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3,  TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

FGx40T120SMD Field Stop Trench IGBTs

onsemi FGY40T120SMD Field Stop (FS) Trench IGBTs use innovative field stop trench IGBT technology. These IGBTs offer optimum performance for hard switching applications. Typical applications for onsemi FGY40T120SMD IGBTs include solar inverters, uninterruptible power supplies, and power factor correction.

Na stanie magazynowym: 198

Stany magazynowe:
198 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
50,73 zł 50,73 zł
30,80 zł 308,00 zł
29,61 zł 3 553,20 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Masz pytanie? Odwiedź Centrum pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, zaloguj się na swoje konto.

W przypadku wystąpienia dalszych problemów skontaktuj się z nami pod numerem 800-346-6873 lub napisz na adres help@mouser.com.