Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 3

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Minimalna temperatura robocza

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Technologia
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: 40,30 zł 1 154Na stanie magazynowym 2 600Oczekiwane: 26.04.2027 Nowe produkty	Produc. Nr części TP65H030G4PRS-TR Nr części Mouser 227-TP65H030G4PRS-TR Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT Dowiedz się więcej o Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Karta charakterystyki	1 154Na stanie magazynowym 2 600Oczekiwane: 26.04.2027	Odcinek taśmy 40,30 zł 22,35 zł 21,21 zł Opakowanie zbiorcze 18,48 zł 18,04 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: 42,06 zł 1 036Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części TP65H030G4PWS Nr części Mouser 227-TP65H030G4PWS Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L Dowiedz się więcej o Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Karta charakterystyki	1 036Na stanie magazynowym	42,06 zł 23,41 zł 21,69 zł 18,83 zł 18,52 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: 40,08 zł 209Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części TP65H030G4PQS-TR Nr części Mouser 227-TP65H030G4PQS-TR Nowe produkty	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL Dowiedz się więcej o Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Karta charakterystyki	209Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 40,08 zł 26,66 zł 23,63 zł 20,72 zł 18,52 zł Opakowanie zbiorcze 17,86 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Zastosowane filtry: