Wszystkie wyniki (11)

Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
1 034Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
683Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
212Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
84Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
141Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 03.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
409Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Karta charakterystyki
184Na stanie magazynowym
900Oczekiwane: 24.05.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
4 934Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Karta charakterystyki
2 540Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFETs N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Karta charakterystyki
1 291Oczekiwane: 25.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1