NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs

onsemi NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs provide higher voltage operation, wider temperature ranges, and increased switching frequencies when compared to existing Si technology. These MOSFETs offer low effective output capacitance and ultra-low gate charge, resulting in lower switching losses and higher switching speed capabilities. onsemi NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs are 100% UIS tested and are AEC-Q101 qualified.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
onsemi SiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M2 800Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
85,54 zł
56,14 zł
Opakowanie zbiorcze
56,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 80
: 800
SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 180 A 18 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 256 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M3S 16MR 646Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
52,49 zł
29,92 zł
Opakowanie zbiorcze
29,92 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 80
: 800
SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 85 A 23.4 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs T2PAK SIC 650V M2 462Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
85,67 zł
56,23 zł
Opakowanie zbiorcze
56,23 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 80
: 800
SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 900 V 148 A 23 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 250 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement