M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Opakowanie/obudowa Styl mocowania Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Maksymalne napięcie bramka–emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT 912Na stanie magazynowym
33,66 zł
18,44 zł
16,02 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package 274Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 29.10.2027
24,46 zł
16,06 zł
11,79 zł
10,47 zł
9,33 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
349Na stanie magazynowym
27,46 zł
15,75 zł
13,16 zł
12,23 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
457Na stanie magazynowym
21,56 zł
13,16 zł
10,30 zł
8,18 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
1 393Oczekiwane: 04.12.2026
24,46 zł
16,02 zł
11,75 zł
10,47 zł
9,33 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
600Oczekiwane: 30.07.2027
23,67 zł
13,42 zł
12,58 zł
9,99 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
592Oczekiwane: 30.07.2027
18,70 zł
12,32 zł
8,76 zł
7,04 zł
6,73 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
26,80 zł
17,95 zł
14,43 zł
12,80 zł
11,35 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube