Układy MOSFET – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 5

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Tryb kanału

Nazwa handlowa

Opakowanie

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Opakowanie
	MOSFETs N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A STP28NM60ND STMicroelectronics 1: 26,44 zł 990Na stanie magazynowym	Produc. Nr części STP28NM60ND Nr części Mouser 511-STP28NM60ND	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stmstw54nm65	Karta charakterystyki	990Na stanie magazynowym	26,44 zł 14,74 zł 12,80 zł 11,35 zł Przeglądaj 10,65 zł 10,60 zł Oferta	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	23 A	150 mOhms	25 V	4 V	62.5 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement		Tube
	MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa STF28N60DM2 STMicroelectronics 1: 16,90 zł 444Na stanie magazynowym	Produc. Nr części STF28N60DM2 Nr części Mouser 511-STF28N60DM2	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stm dm2 mosfets	Karta charakterystyki	444Na stanie magazynowym	16,90 zł 8,62 zł 7,83 zł 6,42 zł 6,20 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	130 mOhms	25 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
	MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 STF28N60M2 STMicroelectronics 1: 15,93 zł 411Na stanie magazynowym	Produc. Nr części STF28N60M2 Nr części Mouser 511-STF28N60M2	STMicroelectronics	MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stmstw54nm65	Karta charakterystyki	411Na stanie magazynowym	15,93 zł 8,14 zł 7,92 zł 6,03 zł 5,98 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	24 A	120 mOhms	25 V	3 V	37 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
	MOSFETs N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II STB18NM60ND STMicroelectronics 1 000: 10,74 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni Weryfikacja statusu w fabryce	Produc. Nr części STB18NM60ND Nr części Mouser 511-STB18NM60ND Weryfikacja statusu w fabryce	STMicroelectronics	MOSFETs N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDmesh II Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stmstw54nm65	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni	Opakowanie zbiorcze 10,74 zł	Min.: 1 000 Wielokr.: 1 000 : 1 000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	290 mOhms	25 V	4 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W			Reel
	MOSFETs Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET STB28NM60ND STMicroelectronics 1 000: 11,92 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni	Produc. Nr części STB28NM60ND Nr części Mouser 511-STB28NM60ND	STMicroelectronics	MOSFETs Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET Dowiedz się więcej o STMicroelectronics stmstw54nm65	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni	Opakowanie zbiorcze 11,92 zł	Min.: 1 000 Wielokr.: 1 000 : 1 000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	23 A	150 mOhms	25 V	4 V	62.5 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement		Reel