DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

Wyniki: 16
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Toshiba MOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN
Karta charakterystyki
7 262Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
Karta charakterystyki
2 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
Karta charakterystyki
1 035Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 230W 1MHz TO-247
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ
Karta charakterystyki
299Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
Karta charakterystyki
3 792Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Karta charakterystyki
243Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs 270W 1MHz TO-247
Karta charakterystyki
65Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 25.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ
Karta charakterystyki
90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSVI Tube

Toshiba MOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
Karta charakterystyki
2 617Oczekiwane: 27.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
Karta charakterystyki
4 000Oczekiwane: 16.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Karta charakterystyki
59Oczekiwane: 25.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSVI Tube
Toshiba MOSFETs 360W 1MHz TO-247-4L(T)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 25

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 105 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement DTMOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel