Układy MOSFET – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 6

Zastosowane filtry:

Opakowanie/obudowa

Polaryzacja tranzystora

Liczba kanałów

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Nazwa handlowa

Opakowanie

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa	Opakowanie
	MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD SISF00DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: 8,82 zł 14 988Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SISF00DN-T1-GE3 Nr części Mouser 78-SISF00DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay common drain mosfets	Karta charakterystyki	14 988Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 8,82 zł 4,28 zł 3,86 zł 3,07 zł 2,89 zł Opakowanie zbiorcze 2,81 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-1212-8SCD-8	N-Channel	2 Channel	30 V	60 A	4.2 mOhms	- 16 V, 20 V	2.1 V	53 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	TrenchFET, PowerPAK	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD SISF20DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: 3,27 zł 3 556Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SISF20DN-T1-GE3 Nr części Mouser 78-SISF20DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay common drain mosfets	Karta charakterystyki	3 556Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 3,27 zł Opakowanie zbiorcze 3,27 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-1212SCD-8	N-Channel	2 Channel	60 V	20 A	13 mOhms	20 V	3 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs PPAK1212 2NCH 25V 30.5A SISF02DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: 8,15 zł 2 898Na stanie magazynowym	Produc. Nr części SISF02DN-T1-GE3 Nr części Mouser 78-SISF02DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs PPAK1212 2NCH 25V 30.5A Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay common drain mosfets	Karta charakterystyki	2 898Na stanie magazynowym	8,15 zł 3,94 zł 3,52 zł 2,86 zł Opakowanie zbiorcze 2,86 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-1212-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	2.15 mOhms	- 16 V, 20 V	1.1 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	PowerPAK	Ammo Pack
	MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F SISF04DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: 7,98 zł 9 000Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części SISF04DN-T1-GE3 Nr części Mouser 78-SISF04DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay common drain mosfets	Karta charakterystyki	9 000Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: SISF04DN-T1-GE3 Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 3 000 Oczekiwane: 26.11.2026 6 000 Oczekiwane: 26.08.2027 Średni czas produkcji: 38 tygodni	Odcinek taśmy 7,98 zł 5,08 zł 3,41 zł 2,77 zł 2,68 zł Opakowanie zbiorcze 2,55 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-1212-8	N-Channel	2 Channel	30 V	108 A	4 mOhms	- 12 V, 16 V	2.3 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6 SI8902AEDB-T2-E1 Vishay Semiconductors 1: 5,33 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 38 tygodni	Produc. Nr części SI8902AEDB-T2-E1 Nr części Mouser 78-SI8902AEDB-T2-E1	Vishay Semiconductors	MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6 Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay common drain mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 38 tygodni	Odcinek taśmy 5,33 zł 3,29 zł 2,17 zł 1,71 zł 1,46 zł Opakowanie zbiorcze 1,39 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 3 000			Si	SMD/SMT	MicroFoot-6	N-Channel	1 Channel	24 V	11 A	28 mOhms	12 V	400 mV		- 55 C	+ 150 C	5.7 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
	MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V SQUN702E-T1_GE3 Vishay Semiconductors 2 000: 6,76 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni	Produc. Nr części SQUN702E-T1_GE3 Nr części Mouser 78-SQUN702E-T1_GE3	Vishay Semiconductors	MOSFETs 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors vishay common drain mosfets	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni	Opakowanie zbiorcze 6,76 zł	Min.: 2 000 Wielokr.: 2 000 : 2 000			Si	SMD/SMT	Triple die	N-Channel, P-Channel	3 Channel	40 V, 200 V	20 A, 30 A	9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms	25 V	1.5 V, 2.5 V	14 nC, 23 nC, 30.2 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W, 60 W	Enhancement	TrenchFET	Reel