1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
56Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
115Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
95Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
120Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
97Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
67Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 6 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement