4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
NF – współczynnik szumów
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
P1dB – Punkt kompresji
OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies RF Amplifier RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Karta charakterystyki
10 852Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
2,91 zł
2,20 zł
1,98 zł
1,72 zł
Opakowanie zbiorcze
1,40 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 15 000
1.4 GHz to 2.7 GHz 1.8 V 5.8 mA 20.2 dB 11.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-9-2 Si - 17 dBm Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Amplifier 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G
Karta charakterystyki
4 880Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
9,86 zł
7,96 zł
7,44 zł
6,69 zł
Opakowanie zbiorcze
5,41 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Amplifier RF MMIC 3 TO 6 GHZ
Karta charakterystyki
12 326Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
2,08 zł
1,68 zł
1,54 zł
1,37 zł
Opakowanie zbiorcze
1,08 zł
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 12 000
2.3 GHz to 2.7 GHz 1.1 V to 3.3 V 2.2 mA 20.3 dB 0.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-10 Si - 17 dBm - 7 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel