Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMFWS002N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS002N10MCLT1G
Price: 17.51 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-MFWS002N10MCLT1G

Nr prod.:

NVMFWS002N10MCLT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE

Karta charakterystyki:

NVMFWS002N10MCLT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFWS002N10MCLT1G

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	177 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	97 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	164 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	105 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	200 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	30 ns
Seria:	NVMFWS002N10MC
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	250 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	24 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFWS002N10MCLT1G Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Korea Południowa
Kraj montażu:: Malezja
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs feature a 177A continuous drain current, 2.8mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Dowiedz się więcej

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Dowiedz się więcej

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Dowiedz się więcej

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Dowiedz się więcej

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Dowiedz się więcej

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 2 998

Oczekiwane: 09.06.2027

1 500

Oczekiwane: 09.07.2027
Średni czas produkcji:: 53

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 1500

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	17,51 zł	17,51 zł
	10,42 zł	104,20 zł
	9,37 zł	937,00 zł
	7,10 zł	3 550,00 zł
	6,43 zł	6 430,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	6,43 zł	9 645,00 zł

NVMFWS002N10MCLT1G

Produc.: onsemi

Opis: MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE

Specyfikacja

Dokumenty (3)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Dostępność

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI