DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Diodes Incorporated DXTN07x Bipolar Junction Transistors (BJTs) are offered in smaller, thermally efficient PowerDI®3333-8 packages. These Diodes Incorporated transistors are in a PowerDI3333 surface mount 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm package. The package occupies 70% less printed circuit board (PCB) space than the traditional small-outline transistor (SOT223). PowerDI3333 packages increase PCB throughput with wettable flanks, which help facilitate high-speed, automatic optical inspection (AOI) of solder joints. These NPN and PNP transistors can perform functions such as linear or LDO regulation, gate driving of MOSFETs or insulated-gate bipolar transistors (IGBT), and load switches across industrial and consumer applications.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Maksymalny prąd DC kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie kolektor-baza VCBO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Kwalifikacje Opakowanie
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor 11 715Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 2 A 100 V 120 V 7 V 150 mV 3.1 W 175 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor 25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 60 V 80 V 7 V 206 mV 3.1 W 140 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 40 V 50 V 7 V 200 mV 3.1 W 100 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor 1 966Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 25 V 35 V 7 V 180 mV 3.1 W 240 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor 1 200Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 60 V 80 V 7 V 200 mV 3.1 W 175 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor 2 075Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 2 A 100 V 120 V 7 V 260 mV 3.1 W 140 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor 12 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 25 V 35 V 7 V 164 mV 3.1 W 160 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 44 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 NPN Single 3 A 45 V 45 V 7 V 140 mV 3.1 W 150 MHz - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 44 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 PNP Single 3 A 40 V 50 V 7 V 200 mV 3.1 W 100 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel