OptiMOS™ 5 Power MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom, and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) and motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converter applications.

Wyniki: 85
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 4 340Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 4 772Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 48 955Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 2 796Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 2 869Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 399 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 3.3 V 110 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 3 872Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 1 478Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V 3 357Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 960 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 92 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 4 063Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1 661Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 122 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 47 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package 8 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 276 A 1.3 mOhms 20 V 3.3 V 90 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 5 096Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance 3 500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 224 A 1.15 mOhms 16 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package 3 126Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 259 A 1.5 mOhms 20 V 3.3 V 70 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 2 831Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 9 935Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 275 A 1.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.45 V 90 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 4 069Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 60 V 427 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 171 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 6 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 5 740Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 185 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 3 758Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 17.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 2 925Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 47 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package 925Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Tube


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 2 544Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 3 053Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V 7 843Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel