Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BV_DSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 10

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H28SM3 Diodes Incorporated 1: 122,45 zł 20Na stanie magazynowym	Produc. Nr części DMWSH120H28SM3 Nr części Mouser 621-DMWSH120H28SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	20Na stanie magazynowym	122,45 zł 82,50 zł 75,37 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H28SM4 Diodes Incorporated 1: 122,45 zł 17Na stanie magazynowym	Produc. Nr części DMWSH120H28SM4 Nr części Mouser 621-DMWSH120H28SM4	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	17Na stanie magazynowym	122,45 zł 82,50 zł 76,43 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	173.7 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H28SM4Q Diodes Incorporated 1: 144,76 zł 20Na stanie magazynowym	Produc. Nr części DMWSH120H28SM4Q Nr części Mouser 621-DMWSH120H28SM4Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	20Na stanie magazynowym	144,76 zł 99,84 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	173.7 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H43SM3 Diodes Incorporated 1: 73,00 zł 31Na stanie magazynowym	Produc. Nr części DMWSH120H43SM3 Nr części Mouser 621-DMWSH120H43SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	31Na stanie magazynowym	73,00 zł 43,91 zł 41,23 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	To-247-3	1 Channel	1.2 kV	72.7 A	43 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	105 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H90SM3 Diodes Incorporated 1: 47,43 zł 78Na stanie magazynowym	Produc. Nr części DMWSH120H90SM3 Nr części Mouser 621-DMWSH120H90SM3	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	78Na stanie magazynowym	47,43 zł 26,88 zł 24,90 zł 24,20 zł 23,19 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	- 55 C	+ 170 C	246 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H90SM3Q Diodes Incorporated 1: 58,52 zł 60Na stanie magazynowym	Produc. Nr części DMWSH120H90SM3Q Nr części Mouser 621-DMWSH120H90SM3Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	60Na stanie magazynowym	58,52 zł 33,70 zł 31,33 zł 31,15 zł 30,27 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	- 55 C	+ 175 C	246 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H90SM4 Diodes Incorporated 1: 47,43 zł 88Na stanie magazynowym	Produc. Nr części DMWSH120H90SM4 Nr części Mouser 621-DMWSH120H90SM4	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	88Na stanie magazynowym	47,43 zł 26,88 zł 24,20 zł 21,69 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	- 55 C	+ 175 C	235 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H90SM4Q Diodes Incorporated 1: 58,52 zł 60Na stanie magazynowym	Produc. Nr części DMWSH120H90SM4Q Nr części Mouser 621-DMWSH120H90SM4Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	60Na stanie magazynowym	58,52 zł 33,70 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	- 55 C	+ 175 C	235 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H28SM3Q Diodes Incorporated 1: 146,21 zł 120Dostępne z magazynu fabrycznego	Produc. Nr części DMWSH120H28SM3Q Nr części Mouser 621-DMWSH120H28SM3Q	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	120Dostępne z magazynu fabrycznego Więcej dostępnych informacji	146,21 zł 95,66 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS DMWSH120H90SCT7 Diodes Incorporated 1: 38,94 zł 100Dostępne z magazynu fabrycznego	Produc. Nr części DMWSH120H90SCT7 Nr części Mouser 621-DMWSH120H90SCT7	Diodes Incorporated	SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets	Karta charakterystyki	100Dostępne z magazynu fabrycznego Więcej dostępnych informacji	38,94 zł 25,56 zł 21,60 zł 20,59 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	38.2 A	90 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	54.6 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie