MMBFx N Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated MMBFx N-channel Enhance mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. The MMBFx MOSFETs provide low gate threshold voltage, input capacitance, and input/output leakage. These MOSFETs from Diodes Incorporated are ideal for high-efficiency power management applications including power management functions and analog switches.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie

Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 3 448Na stanie magazynowym
10 000Oczekiwane: 07.07.2027
Odcinek taśmy
1,51 zł
0,673 zł
0,59 zł
0,546 zł
Opakowanie zbiorcze
0,251 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 70 V 500 mA 5.3 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 282Na stanie magazynowym
42 000Oczekiwane: 14.05.2027
Odcinek taśmy
1,82 zł
0,81 zł
0,708 zł
0,506 zł
0,444 zł
Opakowanie zbiorcze
0,343 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 500 mA 5 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel