TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

Wyniki: 20
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 50Na stanie magazynowym
16,37 zł
10,69 zł
7,96 zł
6,69 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 2 000Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
28,56 zł
15,31 zł
14,04 zł
13,42 zł
12,98 zł
Opakowanie zbiorcze
12,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ 1 961Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
18,00 zł
9,28 zł
8,45 zł
7,26 zł
7,22 zł
Opakowanie zbiorcze
6,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ 53Na stanie magazynowym
29,96 zł
20,06 zł
16,10 zł
14,34 zł
12,72 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET 1 960Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
22,31 zł
14,61 zł
10,74 zł
9,59 zł
8,49 zł
Opakowanie zbiorcze
8,49 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 1 986Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
16,37 zł
10,69 zł
7,96 zł
6,69 zł
6,20 zł
Opakowanie zbiorcze
5,81 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 1 974Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
14,65 zł
9,59 zł
6,95 zł
5,81 zł
5,41 zł
Opakowanie zbiorcze
5,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH 750Na stanie magazynowym
24,99 zł
13,46 zł
12,32 zł
11,92 zł
10,30 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH 335Na stanie magazynowym
21,25 zł
11,09 zł
11,04 zł
9,81 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH 294Na stanie magazynowym
16,81 zł
8,58 zł
7,00 zł
6,16 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH 85Na stanie magazynowym
60Oczekiwane: 02.12.2026
38,90 zł
21,03 zł
19,40 zł
18,88 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 131Na stanie magazynowym
14,65 zł
9,59 zł
6,95 zł
5,81 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH 350Na stanie magazynowym
16,63 zł
8,54 zł
7,70 zł
6,29 zł
6,12 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH 7Na stanie magazynowym
13,77 zł
6,91 zł
6,25 zł
5,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 9Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 15.01.2027
25,43 zł
13,29 zł
12,36 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ 20Na stanie magazynowym
21,87 zł
11,18 zł
10,16 zł
9,20 zł
8,80 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel 8Na stanie magazynowym
32,65 zł
17,73 zł
16,28 zł
15,18 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS 9Na stanie magazynowym
36,17 zł
25,21 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH
146Oczekiwane: 09.04.2027
14,74 zł
7,44 zł
6,73 zł
5,50 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Opakowanie zbiorcze
9,99 zł
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel