Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SQJ152ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ152ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ152ELP-T1_GE3
Price: 5.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SQJ152ELP-T1_GE3

Nr prod.:

SQJ152ELP-T1_GE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

Karta charakterystyki:

SQJ152ELP-T1_GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SQJ152ELP-T1_GE3

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK SO-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	123 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	34 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	136 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay Semiconductors
Czas zanikania:	12 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6.1 ns
Seria:	SQJ
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	13.5 ns
Jednostka masy:	187 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Technical Resources

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

SQJ152ELP Automotive MOSFET

Vishay SQJ152ELP Automotive MOSFET features a wire-free design package that extends the MOSFET’s drain current capabilities and reduces its thermal resistance. This MOSFET implements the 40V TrenchFET® Gen IV technology and has enhanced board-level reliability. The SQJ152ELP MOSFET is AEC-Q101 qualified and offers external gullwing leads that are engineered for maximum stress relief during extremes of thermal and mechanical stress. This Vishay MOSFET is ideal for use in solid-state relays, high-side switches, motor drive controls, and other safety and convenience systems.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

VISHAY

SiJK5100E N-Channel MOSFET

TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage and 536W maximum power dissipation.

Dowiedz się więcej

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Comes in a PowerPAK^® 8mm x 8mm BWL package with an on-resistance of 0.00115Ω.

Dowiedz się więcej

Tranzystor MOSFET 40 V SiJK140E z kanałem typu N (D-S)

Features TrenchFET^® Gen V power technology ideal for synchronous rectification and automation.

Dowiedz się więcej

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Features power technology, optimizes efficiency, and minimizes power loss during conduction.

Dowiedz się więcej

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low R_{DS x}Q_g figure-of-merit (FOM).

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 3 641

Stany magazynowe:: 3 641 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 6 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	5,38 zł	5,38 zł
	3,40 zł	34,00 zł
	2,26 zł	226,00 zł
	1,76 zł	880,00 zł
	1,60 zł	1 600,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,40 zł	4 200,00 zł
	1,34 zł	8 040,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

SQJ152ELP-T1_GE3

Produc.: Vishay Semiconductors

Opis: MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

Specyfikacja

Dokumenty (9)

Karta charakterystyki

Models

PCN

Technical Resources

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

SQJ Automotive MOSFETs

SQJ152ELP Automotive MOSFET

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY VISHAY

Na stanie magazynowym: 3 641

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

VISHAY