Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

Wyniki: 39
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
Karta charakterystyki
1 171Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 620V 1.1
Karta charakterystyki
180Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
Karta charakterystyki
414Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
Karta charakterystyki
26Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 1.95 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
Karta charakterystyki
695Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.4 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
Karta charakterystyki
74Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 4.2 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 3.8 A 2.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 450 V 1.8 A 3.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 6 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel 400V to 650V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.2 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube