UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

Wyniki: 23
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3 278Na stanie magazynowym
74,93 zł
44,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 26Na stanie magazynowym
2 400Oczekiwane: 29.03.2027
Odcinek taśmy
44,04 zł
31,15 zł
23,10 zł
21,87 zł
Opakowanie zbiorcze
21,87 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO26 618Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
72,78 zł
45,63 zł
44,31 zł
Opakowanie zbiorcze
42,59 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 204Na stanie magazynowym
111,19 zł
82,98 zł
82,68 zł
74,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220 465Na stanie magazynowym
45,36 zł
26,14 zł
24,20 zł
22,53 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583Na stanie magazynowym
48,80 zł
27,41 zł
25,43 zł
24,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24 1 142Na stanie magazynowym
80,08 zł
48,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247 626Na stanie magazynowym
46,60 zł
26,66 zł
24,73 zł
23,67 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3 892Na stanie magazynowym
97,11 zł
62,44 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247 1 166Na stanie magazynowym
57,73 zł
43,78 zł
41,32 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24 610Na stanie magazynowym
111,67 zł
74,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2 345Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
48,31 zł
27,72 zł
25,56 zł
24,20 zł
Opakowanie zbiorcze
24,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1 252Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
44,57 zł
25,70 zł
23,36 zł
22,09 zł
Opakowanie zbiorcze
22,09 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-7 199Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
51,00 zł
29,61 zł
27,63 zł
26,14 zł
Opakowanie zbiorcze
26,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 718Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 08.01.2027
Odcinek taśmy
35,02 zł
19,18 zł
17,64 zł
16,63 zł
Opakowanie zbiorcze
16,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 641Na stanie magazynowym
80,12 zł
48,88 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO2 266Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 18.12.2026
44,79 zł
25,26 zł
23,36 zł
22,18 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 63Na stanie magazynowym
52,84 zł
29,52 zł
28,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247 62Na stanie magazynowym
102,21 zł
62,83 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-4
1 200Oczekiwane: 04.11.2026
102,48 zł
82,02 zł
70,97 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1 000Oczekiwane: 10.11.2026
77,18 zł
46,24 zł
44,13 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300Oczekiwane: 15.01.2027
43,91 zł
29,96 zł
24,99 zł
22,26 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3 Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Odcinek taśmy
95,61 zł
64,68 zł
Opakowanie zbiorcze
64,68 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET