Wszystkie wyniki (160)

Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
EPC Efficient Power Conversion
2 500Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2 500Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2 980Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2 500Oczekiwane: 13.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2 000Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
EPC Efficient Power Conversion
1 000Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
500Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
2 500Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
12 099Oczekiwane: 09.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
1 000Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
500Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
500Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2 500Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
2 000Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC Laser Drivers IC LASER DRVR 80V 15A
2 500Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC Efficient Power Conversion
1 000Oczekiwane: 13.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
EPC GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2 500Oczekiwane: 20.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
457Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
6 000Oczekiwane: 07.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/10A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 350V/4A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/40A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 100V/25A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 200V/8A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 40V/25A Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 40
Wielokr.: 40