18 bit Półprzewodniki

Rodzaje półprzewodników
Zmień widok kategorii
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
Texas Instruments FIFO 2048 x 18 Synch FIFO Memory
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 160
Wielokr.: 160

Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 270
Wielokr.: 90

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Renesas Electronics FIFO 1Mx9 / 512Kx18 FIFO 2.5V TERASYNC
Karta charakterystyki
Czas realizacji 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Nie
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 1
Nie
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 1
Nie
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 104
Wielokr.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 104
Wielokr.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 104
Wielokr.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 104
Wielokr.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 104
Wielokr.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 104
Wielokr.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 104
Wielokr.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 104
Wielokr.: 104

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 119
Wielokr.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 119
Wielokr.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 119
Wielokr.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 119
Wielokr.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 119
Wielokr.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 119
Wielokr.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 119
Wielokr.: 119