SemiQ Featured Products
Dyskretne urządzenia MOSFET SiC 1200 V GEN3
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Moduły zasilania MOSFET SiC 1200–V GEN3
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
Dioda Schottky'ego GP3D050B170B QBE™ 1700 V SiC
Umieszczona w obudowie TO-247-2L, zaprojektowanej pod kątem wymogów dotyczących rozmiaru i mocy w wielu zastosowaniach.
Półmostkowe moduły MOSFET SiC 1200 V
Niskie straty przełączania, niska rezystancja termiczna połączenia z obudową oraz bardzo duża wytrzymałość i łatwy montaż.
Pełnomostkowe moduły MOSFET SiC 1200 V
Idealne do falowników fotowoltaicznych, systemów magazynowania energii i wysokonapięciowych przetwornic DC/DC.
GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.