ISSI Pamięć DRAM

Wyniki: 1 550
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Rodzaj Wielkość pamięci Szerokość magistrali danych Maksymalna częstotliwość zegara Opakowanie/obudowa Organizacja Czas dostępu Napięcie zasilania – min. Napięcie zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
206Oczekiwane: 25.08.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
242Oczekiwane: 12.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
10Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128CL Tray
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
80Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560DL
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
108Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16160J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS Czas realizacji 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
348Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
190Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16160F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
216Oczekiwane: 21.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
344Oczekiwane: 24.08.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
239Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
200Oczekiwane: 19.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS46TR16640C-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
190Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

BGA-96
ISSI IS42S16320F-7CTLI
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
108Oczekiwane: 16.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS Czas realizacji 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 929Dostępne z magazynu fabrycznego

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDRAM, 3.3v Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 6 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1 500
: 1 500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000
SDRAM - DDR3L 16 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16K01S2L Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 136
Wielokr.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray