SRAM for Data Acquisition

Home » Applications & Technologies » Instrumentation » Data Acquisition » SRAM

SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

Wyniki: 486
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Wielkość pamięci Organizacja Czas dostępu Maksymalna częstotliwość zegara Rodzaj interfejsu Napięcie zasilania – max. Napięcie zasilania – min. Prąd zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie

ISSI SRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM 61Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

32 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
ISSI SRAM 8Mb 1Mbx8 55ns Async SRAM 164Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb 2.4V-3.6V (10ns) 64K x 16 Async SRAM 112Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48

ISSI SRAM 4Mb (256K x 16) 8ns Async SRAM 58Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 533Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 250Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM 198Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns 18 MHz Parallel 3.6 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 65Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI SRAM 1M (128Kx8) 12ns 5V Async SRAM 480Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray

ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 144Na stanie magazynowym
270Oczekiwane: 12.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 174Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 64K 8Kx8 10ns 5V Async SRAM 37Na stanie magazynowym
234Oczekiwane: 24.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

64 kbit 8 k x 8 10 ns Parallel 5.25 V 4.75 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Tray

ISSI SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 512Kx8 8.45ns 125Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tube

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 178Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM 173Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 234Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32
ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM 376Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async SRAM 187Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 104Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54

ISSI SRAM 8M (1Mx8) 55ns Async SRAM 5v 105Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI IS66WVH32M8DBLL-166B1LI
ISSI SRAM 256Mb, 32M x 8 HyperRAM, TFBGA-24 827Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

256 Mb 32M x 8 36 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS 2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v 12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4M (128Kx32) 200MHz Sync SRAM 3.3v 31Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

4 Mbit 128 k x 32 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 225 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Tube

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC 73Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44