GaN Półprzewodniki

Wyniki: 737
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
Qorvo GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless 15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Power Integrations AC/DC Converters 45 W (85-265 VAC) 1 933Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Power Integrations AC/DC Converters 90 W (85-265 VAC) 1 785Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Qorvo RF Amplifier 8W Reconfigurable S/X-Band PA
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

Qorvo RF Amplifier 13.75-14.5GHZ, 50W PA DOT
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 25

Power Integrations AC/DC Converters 70 W (85-265 VAC) 1 920Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

MACOM RF Amplifier DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 50

Power Integrations AC/DC Converters 90 W (85-265 VAC) 1 980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

MACOM RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 50W
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS 3 334Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Power Integrations AC/DC Converters 85 W (85-265 VAC) 1 810Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Texas Instruments Gate Drivers 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHT 703Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 337Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 768Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 768Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

STMicroelectronics Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 781Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Analog Devices RF Amplifier 1-22GHz 15W PA
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 5

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2 139Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Drive HB 600 V G5 2 393Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Infineon Technologies GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2 646Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2 667Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2 353Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch 3 138Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000