GaN Półprzewodniki

Wyniki: 680
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
Texas Instruments Galvanically Isolated Gate Drivers 3.0kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21220D 2 021Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Texas Instruments Galvanically Isolated Gate Drivers 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D 1 061Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 12.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Texas Instruments Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga 2 153Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Texas Instruments Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21540DW 2 704Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Texas Instruments Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms 1.5A/2.5A d ual-channel isolate A 595-UCC21541DW 1 710Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 4 974Na stanie magazynowym
10 000Oczekiwane: 07.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11 923Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11 502Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12 050Na stanie magazynowym
15 000Oczekiwane: 15.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 10 207Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 12 588Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 3 030Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4 500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 11 953Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 5 596Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2 504Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3 1 903Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1 731Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 14 253Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 460Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 734Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 495Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 23 683Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 4 785Na stanie magazynowym
12 500Oczekiwane: 29.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500