TO-3P-3 Elementy dyskretne półprzewodnikowe

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 138
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
IXYS MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 292Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 28.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds 263Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2 519Na stanie magazynowym
3 600Oczekiwane: 14.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2 023Na stanie magazynowym
2 825Oczekiwane: 15.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Bipolar Transistors - BJT 150W 1 483Na stanie magazynowym
3 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Bipolar Transistors - BJT 150W 2 784Na stanie magazynowym
1 530Oczekiwane: 11.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Bipolar Transistors - BJT 200W TO-3P PNP 5 665Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Bipolar Transistors - BJT 200W PNP 719Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Bipolar Transistors - BJT 200W NPN 955Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 281Na stanie magazynowym
625Oczekiwane: 21.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 219Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 22.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBTs 600V/30A DIS 134Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCRs 50 Amp 1200 Volt 73Na stanie magazynowym
4 200Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCRs 40 Amp 600 Volt 59Na stanie magazynowym
3 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Small Signal Switching Diodes 120 Amps 300V 28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Small Signal Switching Diodes 60 Amps 200V 8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Small Signal Switching Diodes 60 Amps 300V 9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS Small Signal Switching Diodes 60 Amps 400V 30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds 69Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 220Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds 34Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds 412Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds 366Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET 130Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds 164Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3