BM6337x/BM6357x IGBT Intelligent Power Modules

ROHM Semiconductor BM6337x/BM6357x IGBT Intelligent Power Modules (IPMs) are composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, and flywheel diodes. These 600V IPMs have a collector current of 10A up to 30A. ROHM Semiconductor BM6337x/BM6357x devices are ideal for AC100 to 240Vrms (DC Voltage: Less Than 400V) class motor control applications, and other applications like compressor motor control for air conditioners, washing machines, or refrigerators.

Wyniki: 16
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Rodzaj Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Opakowanie/obudowa Styl mocowania Technologia Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 98Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 56Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 64Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 37Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
56Oczekiwane: 21.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) Czas realizacji 22 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C