StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

Wyniki: 27
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Karta charakterystyki
782Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 282 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
5 132Na stanie magazynowym
400Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
Karta charakterystyki
52 877Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 40A TISON-8
Karta charakterystyki
6 660Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.2 mOhms, 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 17 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Karta charakterystyki
1 186Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole N-Channel 2 Channel 100 V 11 A 72.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
Karta charakterystyki
4 050Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Karta charakterystyki
1 119Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 75 V 195 A 1.85 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 380 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
Karta charakterystyki
13 114Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 79 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
16 756Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Karta charakterystyki
1 709Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
Karta charakterystyki
6 429Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
Karta charakterystyki
684Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
Karta charakterystyki
1 900Na stanie magazynowym
22 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC
Karta charakterystyki
3 464Na stanie magazynowym
5 600Oczekiwane: 08.03.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 522 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
Karta charakterystyki
1 328Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 225 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
Karta charakterystyki
800Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
Karta charakterystyki
3 104Na stanie magazynowym
3 200Oczekiwane: 12.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Karta charakterystyki
269Na stanie magazynowym
400Oczekiwane: 20.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Karta charakterystyki
3 692Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Karta charakterystyki
56Na stanie magazynowym
3 600Oczekiwane: 05.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Karta charakterystyki
242Na stanie magazynowym
2 800Oczekiwane: 29.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
Karta charakterystyki
2 998Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
Karta charakterystyki
55 900Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 230 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
14 400Oczekiwane: 18.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Karta charakterystyki
1 963Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube