SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L 1 757Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
74,76 zł
49,15 zł
46,51 zł
Opakowanie zbiorcze
46,51 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L 1 719Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
46,68 zł
28,69 zł
27,63 zł
Opakowanie zbiorcze
27,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L 496Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
145,38 zł
115,90 zł
111,58 zł
Opakowanie zbiorcze
111,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L 2 763Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
50,16 zł
29,17 zł
28,82 zł
27,06 zł
Opakowanie zbiorcze
27,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC 978Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
138,86 zł
110,53 zł
105,60 zł
Opakowanie zbiorcze
105,60 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC 369Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
80,04 zł
52,84 zł
49,02 zł
Opakowanie zbiorcze
49,02 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L 855Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
61,91 zł
38,37 zł
36,56 zł
35,60 zł
Opakowanie zbiorcze
35,60 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mO 3rd Gen TO-263-7L 766Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
64,06 zł
41,32 zł
39,12 zł
Opakowanie zbiorcze
38,32 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement