IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl 4 640Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
8,62 zł
4,44 zł
3,86 zł
3,18 zł
Opakowanie zbiorcze
2,71 zł
2,59 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
75 041Dostępna ilość z otwartych zamówień
Odcinek taśmy
10,96 zł
5,41 zł
4,88 zł
4,35 zł
Opakowanie zbiorcze
3,52 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
32 800Oczekiwane: 03.12.2026
9,59 zł
6,16 zł
4,20 zł
3,56 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube