NTTFSSCH1D3N04XL

onsemi
863-NTTFSSCH1D3N04XL
NTTFSSCH1D3N04XL

Produc.:

Opis:
MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NTTFSSCH1D3N04XL

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
207 A
1.3 mOhms
20 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 123 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 5 ns
Seria: NTTFSSCH1D3N04XL
Wielkość opakowania producenta: 5000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 43 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 18 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Japonia
Kraj montażu:
Filipiny
Kraj wytworzenia:
Japonia
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET is engineered to handle high currents, which is crucial for DC-DC power conversion stages. This 40V, 207A, single N-channel power MOSFET offers lower on-resistance, increased higher power density, and superior thermal performance. The shield gate trench design provides an ultra-low gate charge and 1.3mΩ RDS(on). The compact 3.3mm x 3.3mm source-down dual cool GEN2 package is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant. onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET is designed to provide an efficient solution for data center and cloud applications.

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
20 000
Oczekiwane: 22.09.2027
Średni czas produkcji:
39
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
11,79 zł 11,79 zł
7,61 zł 76,10 zł
5,24 zł 524,00 zł
4,24 zł 2 120,00 zł
3,93 zł 3 930,00 zł
3,78 zł 9 450,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
3,69 zł 18 450,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Masz pytanie? Odwiedź Centrum pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, zaloguj się na swoje konto.

W przypadku wystąpienia dalszych problemów skontaktuj się z nami pod numerem 800-346-6873 lub napisz na adres help@mouser.com.