U-MOSVIII MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII MOSFETs combine low on-resistance and a low leakage current in a thin 3.3mm x 3.3mm x 0.9mm TSON Advance package. U-MOSVIII current ratings range from 43A to 100A, RDS(ON) (typical) from 3.5mΩ to 5.2mΩ, with an input capacitance from 1370pF to 2230pF (typical).

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V 12 731Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
5,54 zł
2,61 zł
2,31 zł
1,91 zł
Opakowanie zbiorcze
1,91 zł
1,36 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 1.8 mOhms 20 V 2.3 V 34 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Opakowanie zbiorcze
1,03 zł
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 35 mOhms 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement U-MOSVIII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Odcinek taśmy
4,35 zł
2,01 zł
1,75 zł
1,37 zł
Opakowanie zbiorcze
1,01 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 43 A 5.2 mOhms 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel